5 Juillet 1951 – Invention du transistor à jonction

Le Dr William Shockley invente le transistor à jonction (Murray Hill, NJ)Bell Labs annonce un transistor à jonction, juillet 1951

Bell Labs et principalement William Shockley (1910-1989) ont annoncé l’invention du transistor à jonction lors d’une conférence de presse à Murray Hill, NJ, la première semaine de juillet 1951.

À l’époque, Shockley faisait partie du groupe de physique du solide de Bell Labs, une unité dont il était chef de groupe et une unité qui connaissait beaucoup de concurrence interne.Ce nouveau type de transistor a surmonté les problèmes créés par les transistors à contact ponctuel antérieurs, développés par Joe Bardeen et Walter Brattain des Bell Labs sans Shockley mais basés en partie sur ses travaux précédents. On dit que lorsque le processus de brevet a commencé pour le transistor à contact ponctuel, Shockley a fait un effort pour que son nom ne soit placé que sur le brevet et s’est assuré que ses collègues ingénieurs étaient au courant de cet effort.

Shockley a été décrit comme ayant un « ego énorme » par ses collègues. Il était également connu pour ses opinions ouvertement racistes. Bipolar Junction Transistor: Definition, Types, Application and Examples Bien que Shockley soit souvent connu comme « l’inventeur » du transistor et malgré son ego rapporté, il a souvent été noté comme corrigeant de telles inexactitudes et notant qu’il dirigeait l’effort avec d’autres personnes impliquées. Les notes prises lors du développement du transistor à jonction peuvent être consultées ici.

Shockley a quitté Bell Labs quelques années après avoir travaillé sur le transistor à jonction et est finalement devenu professeur émérite de génie électrique à Stanford. Il est décédé sur le campus en 1989 à l’âge de 79 ans. transistor bipolaire En 1951, l’invention du transistor à jonction a été annoncée par le Dr William Shockley à Murray Hill, N.J. Ce nouveau type de transistor a surmonté les problèmes du précédent transistor à contact ponctuel. Le transistor à jonction était un sandwich à trois couches. Les couches extérieures étaient des semi-conducteurs avec trop d’électrons (dits de type N) et la couche intérieure était l’inverse avec trop peu d’électrons (dits de type P). Ils n’étaient pas à la hauteur de la capacité du transistor à contact ponctuel à gérer des signaux qui fluctuaient extrêmement rapidement, mais ils étaient supérieurs à tous les autres égards. Les transistors NPN étaient beaucoup plus efficaces, utilisaient très peu d’énergie pour fonctionner et étaient tellement plus silencieux qu’ils pouvaient traiter des signaux plus faibles que les transistors de type A ne le pouvaient jamais. Transistor: Génie électrique William Bradford Shockley, physicien américain, annonce l’invention d’un nouveau type de transistor JFET (Junction Field Effect Transistor)

Il sera reconnu comme Co-inventeur du transistor avec John Bardeen et Walter Houser Brattain, pour lequel ils recevront le prix Nobel de physique en 1956. Sa tentative de commercialisation d’un nouveau type de transistor dans les années 50 et 60 fut directement à l’origine de la création de la Silicon Valley. Introduction to Bipolar Junction Transistor (BJT) - YouTube À propos de William Shocley Physicien Américain

Récipiendaire du prix Nobel et l’un des pères fondateurs de la Silicon Valley, Shockley est connu comme une figure controversée en raison de ses opinions sur les différences génétiques entre les races.

En 1956, Shockley et trois autres ont reçu conjointement un prix Nobel de physique pour « leurs recherches sur les semi-conducteurs et leur découverte de l’effet transistor ».

Cherchant à commercialiser une nouvelle conception de transistor, Shockley a lancé sa société « Shockley Semiconductor » à Palo Alto, en 1956. Bien que la société ait échoué, Shockley a été crédité comme étant « l’homme qui a apporté le silicium dans la Silicon Valley ».

Dans sa vie ultérieure, les vues de Shockley sur l’eugénisme sont devenues plus établies, alors qu’il prêchait une philosophie d ‘«évolution rétrograde».